Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H032LFDF-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
40 A
Power dissipation
1.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H032LFDF-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current5 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation1.1 W
КорпусU-DFN2020-6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance46 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.9nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 40A; 1.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.