Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H025SSS-13-01

DMT10H025SSS-13-01
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Power dissipation
1.9 W
Корпус
SO8
On-state resistance
23 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT10H025SSS-13-01
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Power dissipation1.9 W
КорпусSO8
On-state resistance23 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21.4nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.