Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H025SK3-13

DMT10H025SK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
32.9 A
Pulsed drain current
160 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT10H025SK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current32.9 A
Pulsed drain current160 A
Power dissipation2.5 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21.4nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32.9A; Idm: 160A; 2.5W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.