Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H025LK3-13

DMT10H025LK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
37.7A
Pulsed drain current
185A
Power dissipation
2.6W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H025LK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current37.7A
Pulsed drain current185A
Power dissipation2.6W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance43.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37.7A; Idm: 185A; 2.6W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.