Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H015SK3-13

DMT10H015SK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
43 A
Pulsed drain current
215 A
Power dissipation
2.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H015SK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current43 A
Pulsed drain current215 A
Power dissipation2.9 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30.1nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252

Документация

Документ производителя