Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H015LFG-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
75 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H015LFG-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current8 A
Pulsed drain current75 A
Power dissipation2 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance23.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33.3nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 75A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.