Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H015LCG-7

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
7.5 A
Pulsed drain current
54 A
Рассеиваемая мощность
2.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT10H015LCG-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current7.5 A
Pulsed drain current54 A
Рассеиваемая мощность2.1 W
КорпусV-DFN3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance26 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33.3nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 54A; 2.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.