DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H015LCG-13

V-DFN3333-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 7.5 A
Pulsed drain current: 54 A
Power dissipation: 2.1 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMT10H015LCG-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	7.5 A
Pulsed drain current	54 A
Power dissipation	2.1 W
Корпус	V-DFN3333-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	26 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	33.3nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 54A; 2.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.