Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
7.1A
Pulsed drain current
54A
Power dissipation
1.67W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H014LSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current7.1A
Pulsed drain current54A
Power dissipation1.67W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance25mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33.3nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; Idm: 54A; 1.67W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.