Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H010SPS-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
8.6 A
Pulsed drain current
250 A
Power dissipation
1.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H010SPS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current8.6 A
Pulsed drain current250 A
Power dissipation1.2 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56.4nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.6A; Idm: 250A; 1.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.