Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H010LSSQ-13

DMT10H010LSSQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
12 A
Power dissipation
1.9 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H010LSSQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current12 A
Power dissipation1.9 W
КорпусSO8
On-state resistance9.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge58.4nC
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 1.9W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.