DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 55 A
Pulsed drain current: 275 A
Рассеиваемая мощность: 3 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMT10H010LK3-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	55 A
Pulsed drain current	275 A
Рассеиваемая мощность	3 W
Корпус	DPAK
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	15 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	53.7nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 275A; 3W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.