Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H010LCT

DMT10H010LCT
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
62A
Pulsed drain current
92A
Power dissipation
139W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H010LCT
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current62A
Pulsed drain current92A
Power dissipation139W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance6.9mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58.4nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; Idm: 92A; 139W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.