Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H009SPS-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
11 A
Pulsed drain current
320 A
Power dissipation
2.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT10H009SPS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current11 A
Pulsed drain current320 A
Power dissipation2.7 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 320A; 2.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.