Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H009SK3-13

DMT10H009SK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
75A
Pulsed drain current
360A
Power dissipation
3.2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H009SK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current75A
Pulsed drain current360A
Power dissipation3.2W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9.1mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 360A; 3.2W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.