DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H009LPS-13

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 8 A
Pulsed drain current: 360 A
Power dissipation: 2.9 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMT10H009LPS-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	8 A
Pulsed drain current	360 A
Power dissipation	2.9 W
Корпус	PowerDI5060-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	12.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	40.2nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 360A; 2.9W

Документация

Документы пока не предоставлены.