Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H009LK3-13

DMT10H009LK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
73 A
Pulsed drain current
360 A
Power dissipation
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMT10H009LK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current73 A
Pulsed drain current360 A
Power dissipation3 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; Idm: 360A; 3W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.