Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H009LH3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
67A
Pulsed drain current
336A
Power dissipation
61W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H009LH3
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current67A
Pulsed drain current336A
Power dissipation61W
КорпусTO251
Gate-source voltage±20V
On-state resistance13mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge20.2nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.