Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMT10H009LCG-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
9.9 A
Pulsed drain current
160 A
Power dissipation
2.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMT10H009LCG-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current9.9 A
Pulsed drain current160 A
Power dissipation2.1 W
КорпусV-DFN3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20.2nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.9A; Idm: 160A; 2.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.