DIODES INCORPORATED

Транзистор DMS2120LFWB-7

W-DFN5020-6Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -2.9 A
Pulsed drain current: -10 A
Рассеиваемая мощность: 1.5 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMS2120LFWB-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-2.9 A
Pulsed drain current	-10 A
Рассеиваемая мощность	1.5 W
Корпус	W-DFN5020-6
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	0.15 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -10A; 1.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.