Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMPH4013SK3Q-13

DMPH4013SK3Q-13
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-40 A
Pulsed drain current
-120 A
Power dissipation
3.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMPH4013SK3Q-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-40 A
Pulsed drain current-120 A
Power dissipation3.7 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge67nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -40A; Idm: -120A; 3.7W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.