DIODES INCORPORATED

Транзистор DMPH1006UPSQ-13

PowerDI5060-8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12 V
Drain current: -60 A
Pulsed drain current: -140 A
Power dissipation: 3.2 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMPH1006UPSQ-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12 V
Drain current	-60 A
Pulsed drain current	-140 A
Power dissipation	3.2 W
Корпус	PowerDI5060-8
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	3.5 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	124nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -60A; Idm: -140A; 3.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.