DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP56D0UFB-7

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50 V
Drain current: -200 mA
Pulsed drain current: -0.7 A
Power dissipation: 0.425 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMP56D0UFB-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-50 V
Drain current	-200 mA
Pulsed drain current	-0.7 A
Power dissipation	0.425 W
Корпус	X1-DFN1006-3
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	8 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	580pC
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0.7A; 425mW

Документация

Документы пока не предоставлены.