Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP45H4D9HJ3

DMP45H4D9HJ3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-450 V
Drain current
-3 A
Pulsed drain current
-22.4 A
Power dissipation
41 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 173 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%315,96 ₽

Сумма · с НДС 22%315,96 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1315,96 ₽
от 10157,98 ₽
от 25134,66 ₽
от 75108,14 ₽
от 150103,63 ₽
от 52595,73 ₽
от 105090,09 ₽
от 202583,69 ₽
от 255081,62 ₽
от 502578,99 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMP45H4D9HJ3
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-450 V
Drain current-3 A
Pulsed drain current-22.4 A
Power dissipation41 W
КорпусTO251
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance4.9 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge13.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.