DIODES INCORPORATED
Транзистор DMP4050SSD-13
- Type of transistor
- P-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -40 V
- Drain current
- -4 A
- Pulsed drain current
- -20 A
- Power dissipation
- 1.25 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 459 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%352,58 ₽
Сумма · с НДС 22%352,58 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 352,58 ₽ | |
| от 5 | 198,80 ₽ | |
| от 10 | 183,61 ₽ | |
| от 50 | 154,35 ₽ | |
| от 100 | 142,72 ₽ | |
| от 250 | 127,91 ₽ | |
| от 500 | 117,97 ₽ | |
| от 1000 | 109,34 ₽ | |
| от 2500 | 98,46 ₽ | |
| от 5000 | 90,40 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMP4050SSD-13 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -40 V |
| Drain current | -4 A |
| Pulsed drain current | -20 A |
| Power dissipation | 1.25 W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 79 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 13.9nC |
| Kind of package | 13 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -4A; Idm: -20A; 1.25W; SO8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.