Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP4013LFGQ-13

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-11 A
Pulsed drain current
-80 A
Power dissipation
2.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMP4013LFGQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-11 A
Pulsed drain current-80 A
Power dissipation2.1 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge68.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.