DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP2069UFY4-7

X2-DFN2015-3Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -2.2 A
Pulsed drain current: -12 A
Рассеиваемая мощность: 0.53 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMP2069UFY4-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-2.2 A
Pulsed drain current	-12 A
Рассеиваемая мощность	0.53 W
Корпус	X2-DFN2015-3
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	90 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	9.1nC
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -12A; 530mW

Документация

Документы пока не предоставлены.