DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP2012SN-7

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -0.9 A
Pulsed drain current: -2.8 A
Power dissipation: 0.5 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMP2012SN-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-0.9 A
Pulsed drain current	-2.8 A
Power dissipation	0.5 W
Корпус	SC59
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	0.5 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -900mA; Idm: -2.8A; 500mW

Документация

Документы пока не предоставлены.