DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP2010UFG-13

PowerDI3333-8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -12.7 A
Pulsed drain current: -80 A
Power dissipation: 2.3 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMP2010UFG-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-12.7 A
Pulsed drain current	-80 A
Power dissipation	2.3 W
Корпус	PowerDI3333-8
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	12.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	103nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.