DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP2008UFG-7

DMP2008UFG-7

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.4W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMP2008UFG-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-11A
Pulsed drain current	-80A
Power dissipation	2.4W
Корпус	PowerDI®3333-8
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	8mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.