Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP2008UFG-13

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-11 A
Pulsed drain current
-80 A
Power dissipation
2.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMP2008UFG-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-11 A
Pulsed drain current-80 A
Power dissipation2.4 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance17 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge72nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.