Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP2006UFGQ-7

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-14 A
Pulsed drain current
-80 A
Power dissipation
2.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMP2006UFGQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-14 A
Pulsed drain current-80 A
Power dissipation2.3 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance17 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge200nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.