DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP1200UFR4-7

X2-DFN1010-3Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12 V
Drain current: -2 A
Power dissipation: 1.26 W
Корпус: X2-DFN1010-3

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMP1200UFR4-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12 V
Drain current	-2 A
Power dissipation	1.26 W
Корпус	X2-DFN1010-3
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	0.38 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	5.8nC
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; 1.26W; X2-DFN1010-3

Документация

Документы пока не предоставлены.