Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-210mA
Power dissipation
0.38W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMP10H4D2S-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-210mA
Power dissipation0.38W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance5Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23; ESD

Документация

Документ производителя