DIODES INCORPORATED

Транзистор DMP1007UCB9-7

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8 V
Drain current: -7.8 A
Pulsed drain current: -80 A
Power dissipation: 1.53 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMP1007UCB9-7
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-8 V
Drain current	-7.8 A
Pulsed drain current	-80 A
Power dissipation	1.53 W
Корпус	U-WLB1515-9
Gate-source voltage	±6 V
On-state resistance	9.1 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	8.2nC
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -7.8A; Idm: -80A; 1.53W

Документация

Документы пока не предоставлены.