DIODES INCORPORATED

Транзистор DMNH6065SPDW-13

PowerDI5060-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 19 A
Pulsed drain current: 108 A
Рассеиваемая мощность: 2.4 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMNH6065SPDW-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	19 A
Pulsed drain current	108 A
Рассеиваемая мощность	2.4 W
Корпус	PowerDI5060-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	79 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	9.5nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 108A; 2.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.