Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMNH6021SPDQ-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
6.5 A
Pulsed drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
2.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMNH6021SPDQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current6.5 A
Pulsed drain current80 A
Рассеиваемая мощность2.8 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20.1nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 80A; 2.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.