Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMNH6012LK3-13

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Power dissipation
3.8 W
Корпус
TO252/DPAK
On-state resistance
12 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMNH6012LK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Power dissipation3.8 W
КорпусTO252/DPAK
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16.3nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.8W; TO252/DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.