DIODES INCORPORATED
Транзистор DMNH6011LK3-13
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 55 V
- Drain current
- 50 A
- Pulsed drain current
- 180 A
- Power dissipation
- 3 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DMNH6011LK3-13 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 55 V |
| Drain current | 50 A |
| Pulsed drain current | 180 A |
| Power dissipation | 3 W |
| Корпус | TO252 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 18 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 49.1nC |
| Kind of package | 13 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 50A; Idm: 180A; 3W; TO252
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.