Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMNH4011SPSQ-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
10.8 A
Pulsed drain current
90 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMNH4011SPSQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current10.8 A
Pulsed drain current90 A
Power dissipation2.5 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 90A; 2.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.