DIODES INCORPORATED

Транзистор DMNH4006SPSQ-13

PowerDI5060-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 80 A
Pulsed drain current: 440 A
Рассеиваемая мощность: 3 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMNH4006SPSQ-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	80 A
Pulsed drain current	440 A
Рассеиваемая мощность	3 W
Корпус	PowerDI5060-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	50.9nC
Kind of package	13 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 440A; 3W

Документация

Документы пока не предоставлены.