Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
16 A
Pulsed drain current
200 A
Рассеиваемая мощность
3.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMNH4006SK3Q-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current16 A
Pulsed drain current200 A
Рассеиваемая мощность3.6 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; Idm: 200A; 3.6W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.