Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMNH10H028SPS-13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
25 A
Pulsed drain current
54 A
Power dissipation
2.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMNH10H028SPS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current25 A
Pulsed drain current54 A
Power dissipation2.9 W
КорпусPowerDI5060-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; Idm: 54A; 2.9W

Документация

Документы пока не предоставлены.