Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
39 A
Pulsed drain current
58 A
Рассеиваемая мощность
3.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMNH10H028SK3Q-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current39 A
Pulsed drain current58 A
Рассеиваемая мощность3.7 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 58A; 3.7W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.