DIODES INCORPORATED

Транзистор DMNH10H021SPSW-13

PowerDI5060-8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Рассеиваемая мощность: 4.4 W
Корпус: PowerDI5060-8
On-state resistance: 28 mΩ

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	DMNH10H021SPSW-13
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Рассеиваемая мощность	4.4 W
Корпус	PowerDI5060-8
On-state resistance	28 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	71nC

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.4W; PowerDI5060-8

Документация

Документы пока не предоставлены.