Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
2.5 A
Power dissipation
125 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 56 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%146,26 ₽

Сумма · с НДС 22%146,26 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1146,26 ₽
от 3132,39 ₽
от 10115,87 ₽
от 50105,04 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMN90H8D5HCT
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current2.5 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance7 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB

Документация

Документ производителя