Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN80H2D0SCTI

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
4A
Pulsed drain current
28A
Power dissipation
16W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN80H2D0SCTI
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current4A
Pulsed drain current28A
Power dissipation16W
КорпусITO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.4Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge35.4nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 28A; 16W; ITO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.