Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.18 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
0.47 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN67D8LW-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.18 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation0.47 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance7.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge821pC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 470mW; SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.