Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN67D8L-13

DMN67D8L-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.17A
Pulsed drain current
0.8A
Power dissipation
570mW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN67D8L-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.17A
Pulsed drain current0.8A
Power dissipation570mW
КорпусSOT23
Gate-source voltage±30V
On-state resistance7.5Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge821pC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170mA; Idm: 0.8A; 570mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.