Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN67D7L-13

DMN67D7L-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.15 A
Pulsed drain current
0.8 A
Рассеиваемая мощность
570 mW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN67D7L-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.15 A
Pulsed drain current0.8 A
Рассеиваемая мощность570 mW
КорпусSOT23
Gate-source voltage±40 V
On-state resistance5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge821pC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150mA; Idm: 0.8A; 570mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.